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大功率变频可调电源的设计

发布时间:2021-09-25 09:22:11
来源:乐鱼体育官网

  和双极型功率晶体管,它们都不能满足小型、高频、高效率的要求。MOSFET场效应晶体管具有速度快和电压型控制的特点,但其通态电阻大,难以满足高压大电流的要求;双极型功率晶体管虽然能满足高耐压大电流的要求,但没有快速的开关速度,属电流控制型器件,需要较大的功率驱动。绝缘栅双极型功率晶体IGBT集MOSFET场效应晶体管和双极型功率晶体管于一体,具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、容量大等优点。用高性能的绝缘栅双极型功率晶体IGBT作开关逆变

  该电源采用高频逆变技术、数字信号发生器、正弦脉宽调制和变频调幅、时序控制上电和串联谐振式输出。电源具有效率高、输出功率大、体积小等优点,其总体原理框图如图1所示。

  由数字信号发生器产生的正弦波被25kHz的三角调制波调制,得到一个正弦脉宽调制波,经驱动电路驱动逆变元件IGBT。改变正弦波的频率,幅值便可达到调频调幅输出,逆变输出为串联谐振式输出,将高频载波信号滤掉,从而得到所需频率的正弦信号。时序控制电路用来控制功率源供电电源在上电时缓慢上电,确保电源上电时电流平稳,同时还避免非过零点开关带来的冲击;在控制电路中还设计了故障锁定功能,一旦电源故障,锁定功能将禁止开通IGBT,当故障出现时,IGBT被锁点开通,这时大容量滤波电容会储存很高的电能。所以,电源部分有故障保护自动切断工作电源和自动放电功能,整机设计有双重过流、过压和过热等完善的保护功能。

  控制电路指主控电路,包括正弦脉宽调制波的产生,占空比调节和故障锁定电路。控制电路的正弦调制波,可根据实际应用情况调节其频率。驱动电路则采用三菱公司生产的IGBT专用驱动模块EXB840,该驱动模块能驱动高达150A/600V和75A/1200V的IGBT,该模块内部驱动电路使信号延迟≤1μs,所以适用于高达40kHz的开关操作。用此模块要注意,IGBT栅射极回路接线M,栅射极驱动接线逆变与缓冲电路

  电感,IGBT开关动作时在电感上激起的浪涌尖峰电压Ldi/dt不可忽视,由于本电源采用的是半桥逆变电路,相对全桥电路来说,将产生比全桥电路更大的di/dt。正确设计过压保护即缓冲电路,对IGBT的正常工作十分重要。如果缓冲电路设计不当,将造成缓冲电路损耗增大,会导致电路发热严重,容易损坏元件,不利于长期工作。

  过程是:当VT2开通时,随着电流的上升,在线路杂散电感Lm的作用下,使得Uab下降到Vcc-Ldi/dt,此时前一工作周期以被充电到Vcc的缓冲电容C1,通过VT1的反并联二极管VD1、VT2和缓冲电阻R2放电。在缓冲电路中,流过反并联二极管VD1的瞬时导通电流ID1为流过线路杂散电感电流IL和流过缓冲电容C1的电流

  储能(LmI2/2)向缓冲电路转移,缓冲电路吸收了贮能,不会造成Uce的明显上升。5缓冲元件的计算与选择

  测量精度高,而且提高了工作效率,增加了工作安全性,降低了劳动强度。参考文献


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